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Un precursor de silicio gaseoso es un compuesto químico existente en forma gaseosa que contiene un átomo de Si. Como sugiere el nombre, la sustancia acompaña la etapa inicial de la reacción de producción de silicio. Un precursor conocido es el tricloruro de silicio, un componente en la producción de capas epitaxiales a partir de SiC.
Este proceso implica la deposición de capas del elemento sobre sustratos, lo que da como resultado la formación de estructuras en capas delgadas con pureza y composición química controladas. Se utiliza en los procesos de producción de semiconductores, como matrices de silicio para circuitos integrados, LED o células fotovoltaicas.
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