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Precursor en la epitaxia de silicio y compuestos de silicio

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Precursor en la epitaxia del silicio y compuestos de silicio.

Un precursor en la epitaxia del silicio y los compuestos de silicio es una sustancia química utilizada en un proceso llamado epitaxia para depositar capas de silicio sobre sustratos.

La epitaxia es una técnica que implica el crecimiento de finas capas de silicio sobre un sustrato de silicio monocristalino. Este método es fundamental para la producción de semiconductores, en particular en la industria microelectrónica, donde son esenciales para la producción de circuitos integrados.

El método de epitaxia más utilizado es la deposición química de vapor utilizando compuestos organometálicos (MOCVD, MOVPE). Los componentes gaseosos se introducen en las condiciones controladas de un reactor, provocando como resultado de la reacción la formación de las capas deseadas. Un ejemplo de precursor en este proceso es el tricloruro de silicio.

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