Précurseur dans l'épitaxie du silicium et des composés du silicium

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Composition

Silicium, Chlorures

N ° CAS.

10025-78-2

1 - 2 des produits 2

Précurseur en épitaxie du silicium et des composés du silicium

Un précurseur de l’épitaxie du silicium et des composés de silicium est un produit chimique utilisé dans un processus appelé épitaxie pour déposer des couches de silicium sur des substrats.

L’épitaxie est une technique consistant à faire croître de fines couches de silicium sur un substrat de silicium monocristallin. Ce procédé fait partie intégrante de la production de semi-conducteurs, notamment dans l’industrie microélectronique, où ils sont indispensables à la réalisation de circuits intégrés.

La méthode d’épitaxie la plus couramment utilisée est le dépôt chimique en phase vapeur utilisant des composés organométalliques (MOCVD, MOVPE). Les composants gazeux sont introduits dans les conditions contrôlées d’un réacteur, provoquant la formation des couches souhaitées à la suite de la réaction. Un exemple de précurseur dans ce processus est le trichlorure de silicium.