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Un précurseur gazeux de silicium est un composé chimique existant sous forme gazeuse qui contient un atome de Si. Comme son nom l’indique, la substance accompagne l’étape initiale de la réaction de production de silicium. Un précurseur connu est le trichlorure de silicium, un composant entrant dans la fabrication de couches épitaxiales à partir de SiC.
Ce processus implique le dépôt de couches de l’élément sur des substrats, entraînant la formation de structures en couches minces avec une pureté et une composition chimique contrôlées. Il est utilisé dans les processus de production de semi-conducteurs, tels que les puces en silicium pour circuits intégrés, les LED ou les cellules photovoltaïques.
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