Precursore nell'epitassia del silicio e dei composti di silicio

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Composizione

Silicio, Cloruri

CAS No.

10025-78-2

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Precursore nell'epitassia del silicio e dei composti del silicio

Un precursore nell’epitassia del silicio e dei composti del silicio è una sostanza chimica utilizzata in un processo chiamato epitassia per depositare strati di silicio sui substrati.

L’epitassia è una tecnica che prevede la crescita di sottili strati di silicio su un substrato di silicio monocristallino. Questo metodo è parte integrante della produzione di semiconduttori, in particolare nell’industria microelettronica, dove sono essenziali per la produzione di circuiti integrati.

Il metodo di epitassia più comunemente utilizzato è la deposizione chimica da fase vapore utilizzando composti metallorganici (MOCVD, MOVPE). I componenti gassosi vengono introdotti nelle condizioni controllate di un reattore, provocando la formazione degli strati desiderati a seguito della reazione. Un esempio di precursore in questo processo è il tricloruro di silicio.