Producten catalogus:

Voorloper in de epitaxie van silicium en siliciumverbindingen

Zoeken naar producten
Markten en toepassingen
0 geselecteerd
Duidelijk Opslaan
Functie Voorloper in de epitaxie van silicium en siliciumverbindingen
1 geselecteerd
Duidelijk Opslaan
Samenstelling
0 geselecteerd
Duidelijk Opslaan
Segment
0 geselecteerd
Duidelijk Opslaan
Fabrikant
0 geselecteerd
Duidelijk Opslaan
De criteria wijzigen
1 - 2 van 2 producten

Voorloper in de epitaxie van silicium en siliciumverbindingen

Een voorloper in de epitaxie van silicium en siliciumverbindingen is een chemische stof die wordt gebruikt in een proces dat epitaxie wordt genoemd om lagen silicium op substraten af ​​te zetten.

Epitaxie is een techniek waarbij dunne laagjes silicium op een monokristallijn siliciumsubstraat worden gegroeid. Deze methode is een integraal onderdeel van de productie van halfgeleiders, vooral in de micro-elektronica-industrie, waar ze essentieel zijn voor de productie van geïntegreerde schakelingen.

De meest gebruikte epitaxiemethode is chemische dampafzetting met behulp van metaalorganische verbindingen (MOCVD, MOVPE). Gasvormige componenten worden onder de gecontroleerde omstandigheden van een reactor ingebracht, waardoor als gevolg van de reactie de gewenste lagen ontstaan. Een voorbeeld van een voorloper in dit proces is siliciumtrichloride.

De pagina is automatisch vertaald. Originele pagina openen