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Um precursor gasoso de silício é um composto químico existente na forma gasosa que contém um átomo de Si. Como o nome sugere, a substância acompanha a etapa inicial da reação de produção do silício. Um precursor conhecido é o tricloreto de silício, um componente na produção de camadas epitaxiais de SiC.
Este processo envolve a deposição de camadas do elemento sobre substratos, resultando na formação de estruturas de camadas finas com pureza e composição química controladas. É utilizado nos processos de produção de semicondutores, como matrizes de silício para circuitos integrados, LEDs ou células fotovoltaicas.
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