Precursor na epitaxia de silício e compostos de silício

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Composição

Silício, Cloretos

CAS No.

10025-78-2

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Precursor na epitaxia de silício e compostos de silício

Um precursor na epitaxia do silício e dos compostos de silício é um produto químico usado em um processo denominado epitaxia para depositar camadas de silício em substratos.

Epitaxia é uma técnica que envolve o crescimento de finas camadas de silício sobre um substrato de silício monocristalino. Este método é essencial para a produção de semicondutores, em particular na indústria microeletrônica, onde são essenciais para a produção de circuitos integrados.

O método de epitaxia mais comumente usado é a deposição química de vapor usando compostos metalorgânicos (MOCVD, MOVPE). Componentes gasosos são introduzidos sob condições controladas de um reator, causando a formação das camadas desejadas como resultado da reação. Um exemplo de precursor neste processo é o tricloreto de silício.