прекурсор в эпитаксии кремния и соединений кремния

Трихлорид кремния технический (Technical trichlorosilane) Технический трихлорид кремния – это продукт с чистотой более 97%. Используется в качестве сырья/полуфабриката при производстве органофункциональных силанов и других...

Сверхчистый трихлорид кремния (Ultrapure trichlorosilane) Трихлорид кремния – это продукт с чистотой более 99,99%. Наибольшие количества трихлорида кремния в сверхчистом виде используются при производстве поликремния, а...

Строение

Кремний, Xлориды

Номер CAS

10025-78-2

1 -2 из 2 продуктов

Прекурсор в процессе эпитаксии кремния и соединений кремния

Прекурсором в процессе эпитаксии кремния и соединений кремния является химическое вещество, применяемое в процессе, называемом эпитаксией, для нанесения слоев кремния на подложки.

Эпитаксия представляет собой метод, заключающийся в выращивании тонких слоев кремния на монокристаллической кремниевой подложке. Данный метод является неотъемлемой частью производства полупроводников, в частности, микроэлектронной промышленности, где они необходимы для производства интегральных схем.

Наиболее часто применяемым методом эпитаксии является химическое осаждение из газовой фазы с помощью металлоорганических соединений (MOCVD, MOVPE). В контролируемых условиях реактора вводят газообразные компоненты, которые в результате реакции вызывают образование требуемых слоев. Примером прекурсора в данном процессе является трихлорид кремния.