Трихлорид кремния – это продукт с чистотой более 99,99%. Наибольшие количества трихлорида кремния в сверхчистом виде используются при производстве поликремния, а также для химического осаждения из газовой фазы эпитаксиальных слоев кремния или карбида кремния в полупроводниковой промышленности и электронике.
Трихлорид кремния после очистки до качества > 6N является прекурсором поликремния для применения в фотогальванических системах и полупроводниковых элементах. Трихлорид кремния является превосходным прекурсором для получения кремниевых слоев. Доминирующим процессом во время осаждения является (а) хемосорбция *SiCl2 на поверхности кремния и десорбция хлороводорода с поверхности кремния: SiHCl3 → HCl + *SiCl2 и (b) восстановление *SiCl2 с использованием водорода: *SiCl2 + H2 → Si + 2HCl. Сверхчистый трихлорид кремния также предназначен для получения эпитаксиальных слоев из карбида кремния.
Преимущества продукта:
Применение:
Отрасли и применение
Химическое сырье и промежуточные продукты
Электронная промышленность / Полупроводники
Энергетическая промышленность / Фотовольтаика
Функция
прекурсор в эпитаксии кремния и соединений кремния
газообразный прекурсор кремния
Сегмент
Хлорсиланы, сырье и промежуточные продукты
Специализированные продукты / Специализированные добавки