Каталог продуктов
Прекурсором в процессе эпитаксии кремния и соединений кремния является химическое вещество, применяемое в процессе, называемом эпитаксией, для нанесения слоев кремния на подложки.
Эпитаксия представляет собой метод, заключающийся в выращивании тонких слоев кремния на монокристаллической кремниевой подложке. Данный метод является неотъемлемой частью производства полупроводников, в частности, микроэлектронной промышленности, где они необходимы для производства интегральных схем.
Наиболее часто применяемым методом эпитаксии является химическое осаждение из газовой фазы с помощью металлоорганических соединений (MOCVD, MOVPE). В контролируемых условиях реактора вводят газообразные компоненты, которые в результате реакции вызывают образование требуемых слоев. Примером прекурсора в данном процессе является трихлорид кремния.
Зарегистрируйтесь, чтобы получать информацию о новых продуктах на Портале Продуктoв и коммерческую информацию о Капитал Группе PCC
Sienkiewicza 4
56-120 Brzeg Dolny
Польша
Przemysław Kanikowski
email: iod.rokita@pcc.eu